温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
RU8205G
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：20V/6A，RDS(ON)=21mΩ（典型值）@VGS=4.5V，RDS(ON)=30mΩ（典型值）@VGS=2.5V。 超高密度单元设计。 可靠耐用。 提供无铅和环保选项。应用：电源管理
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU8205G
- 商品编号
- C694250
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 20V/6A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) = 21 mΩ（典型值）
- 在VGS = 2.5 V时，RDS(ON) = 30 mΩ（典型值）
- 超高密度单元设计
- 可靠耐用
- 提供无铅环保产品
应用领域
- 电源管理
其他推荐
- ERE1VM821G20OT
- ERJ1KM2R2D11OT
- PC95EL25X8.6-Z
- 100YXJ22MT16.3X11
- 100ZL220MEFCG412.5X30
- 10WA470MEFC8X9
- 10ZLH1000MEFC10X12.5
- 10ZLH3300MEFC10X25
- 10ZLJ1000M8X20
- 10ZLJ330M6.3X11
- 10ZLJ4700M12.5X30
- 10ZLQ1800MEFC8X20
- 10ZLQ220MEFC5X11
- 16AX1000MEFC10X16
- 16MH522MEFCT15X5
- 16MH7100MEFC6.3X7
- 16RX301000M10X20
- 16YXA100M5X11
- 16YXF1000MEFCT810X20
- 16YXF100MEFCT16.3X11
- 16YXF330MEFCT78X11.5