- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E
- 商品编号
- C6313704
- 商品封装
- VFBGA-63(9x11)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0规范¹
- 采用单层单元(SLC)技术
- 组织结构
- 页大小(x8)：2112字节(2048 + 64字节)
- 页大小(x16)：1056字(1024 + 32字)
- 块大小：64页(128K + 4K字节)
- 平面大小：2个平面，每个平面1024个块
- 器件容量：2Gb：2048个块
- 异步I/O性能：tRC/tWC：20ns (3.3V)，25ns (1.8V)
- 阵列性能
- 读页：25μs³
- 编程页：200μs (典型值：1.8V，3.3V)³
- 擦除块：700μs (典型值)
- 命令集：ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集
- 编程页缓存模式⁴
- 读页缓存模式⁴
- 一次性可编程(OTP)模式
- 双平面命令⁴
- 交错晶片(LUN)操作
- 读取ID
- 块锁定(仅1.8V)
- 内部数据搬移
- 操作状态字节提供软件方法用于检测操作完成和通过/失败条件
- 写保护状态
- 就绪/忙(R/B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP#信号：写保护整个器件
- 出厂时第一个块(块地址00h)带有纠错码(ECC)且有效。关于最低要求ECC，请参阅错误管理部分。
- 如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位纠错码(ECC)
- 上电后需要将复位(FFh)命令作为第一个命令
- 上电后器件初始化的替代方法(Nand_Init) (请联系工厂)
- 支持在读取数据的平面内进行内部数据搬移操作
- 质量和可靠性
- 数据保持：10年
- 耐久性：100,000次编程/擦除周期
- 工作电压范围
- VCC：2.7 - 3.6 V
- VCC：1.7 - 1.95 V
- 工作温度
- 汽车工业级(AIT)：-40℃ 到 +85℃
- 汽车级(AAT)：-40℃ 到 +105℃
- 封装
- 48引脚TSOP类型1，中心分模线(CPL)²
- 63球VFBGA
- MT29F2G08ABAGAWP-IT:G TR
- MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
- MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR
- MT29F4G08ABADAWP-AITX:D TR
- MT29F4G08ABAFAWP-ITES:F
- MT29F4G16ABBFAH4-AATES:F
- MT29F64G08CBHGBJ4-3R:G
- SXT2148DD48-24.576M
- SXT2148EA16-25.000M
- SXT2148EA16-27.000M
- SXT2148EA16-38.400M
- SXT2148EA17-24.000M
- SXT2148EA38-27.000M
- SXT2148EA38-40.000M
- SXT2148EA48-20.000M
- MT35XU02GCBA1G12-0AAT
- SXT2148EA48-30.000M
- MT35XU02GCBA2G12-0AAT
- MT3700N3-UV
- SXT2148EB07-32.000M
- MT55L256V18P1T-7.5