Name: micron(镁光) MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR
Brand: micron(镁光)
SKU: C6313714
Price: 69.94 CNY
Availability: OutOfStock

符合开放NAND闪存接口1.0标准
采用单层单元技术
组织结构：x8位宽页大小为2112字节（2048字节+64字节）；x16位宽页大小为1056字（1024字+32字）；块大小为64页（128K字节+4K字节）；每个平面大小为2个平面×每平面1024个块；器件总容量为2Gb：共2048个块
异步I/O性能：读取/写入周期时间（tRC/tWC）为20纳秒（3.3V）和25纳秒（1.8V）
阵列性能：读取页时间为25微秒；编程页时间为200微秒（典型值，1.8V，3.3V）；擦除块时间为700微秒（典型值）
命令集：符合开放NAND闪存接口NAND闪存协议
高级命令集：支持页缓存编程模式、页缓存读取模式、一次性可编程模式、双平面命令、交错晶片操作、读取标识符、块锁定（仅1.8V）、内部数据搬移
操作状态字节提供检测操作完成与通过/失败条件的软件方法
就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
写保护信号用于保护整个器件
出厂时第一块（块地址00h）带有纠错码，为有效块。关于最小所需纠错码，请参阅错误管理章节
如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位纠错码
上电后需要将复位命令作为第一条命令
支持上电后设备初始化的替代方法
支持在读取数据所在平面内进行内部数据搬移操作
质量与可靠性：数据保持时间为10年；耐久性为100，000次编程/擦除周期
工作电压范围：VCC为2.7~3.6V；VCC为1.7~1.95V
工作温度范围：汽车工业级为-40℃~+85℃；汽车级为-40℃~+105℃
封装：48引脚薄型小外形封装类型1，中心分型线；63焊球超薄细间距球栅阵列

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	2Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	200us

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	700us
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	待机电流	15uA
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E TR

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