商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 6A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 4.7A | |
| 工作电压 | 8V~15V | |
| 上升时间(tr) | 15ns | |
| 下降时间(tf) | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
MP1925 是一款高频半桥 N 沟道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制，延时匹配小于 5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定 (UVLO) 功能，在电源不足时会强制输出为低电平。集成的自举二极管可减少外部元件数量。 MP1925 采用 QFN-8 (4mmx4mm) 封装。
商品特性
- 驱动 N 沟道 MOSFET 半桥，自举电压范围达 115V
- 片上集成自举二极管
- 典型传播延时为 20ns
- 栅极驱动器匹配小于 5ns
- 在 12V VDD 电压下，可驱动 2.2nF 负载，上升时间为 15ns，下降时间为 10ns
- TTL 兼容输入
- 静态电流小于 150μA
- 高端和低端栅极驱动器均具备欠压锁定 (UVLO) 功能
- 采用 QFN-8 (4mmx4mm) 封装
应用领域
- 电机驱动器
- 电信
- 半桥电源
- DC/DC 转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
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