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SI1555DL-T1-VB
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:3.28A
- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。沟槽功率 MOSFET，额定电压 1.8 V。热增强型 SC-70 封装。快速开关。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI1555DL-T1-VB
- 商品编号
- C692946
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V；20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.28A；2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V；155mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.24W；1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；450mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.25nC@4.5V；1.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽功率MOSFET:额定电压1.8 V
- 热性能增强型SC-70封装
- 快速开关
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 便携式设备的负载开关