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TPW1R104PB,L1XHQ
硅N沟道MOS（U-MOSIX-H）
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- 描述
- 特性：AEC-Q101合格。 小型薄封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.95 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 40 V)。 增强模式：VDM = 2.0 至 3.0 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)。应用：汽车。 电机驱动器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPW1R104PB,L1XHQ
- 商品编号
- C6290618
- 商品封装
- DSOPADVANCE-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.161克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.56nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.94nF |
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