TPH1R306P1,L1Q
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPH1R306P1,L1Q
- 商品编号
- C6290261
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 170W;960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.1nF@30V |
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 符合欧盟指令 2011/65/EU(RoHS)和 2002/96/EC(WEEE)
- 根据 IEC 61249-2-21 标准为无卤产品
应用领域
- 负载开关
- 功率放大器开关
