TP65H050G4WS

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品牌名称: Transphorm
商品型号: TP65H050G4WS
商品编号: C6290232
商品封装: TO-247-3
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

TP65H050G4WS是一款650V、50毫欧的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），为常关型器件，采用了Transphorm的第四代平台。它将先进的高压GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）与低压硅MOSFET相结合，具有卓越的可靠性和性能。第四代SuperGaN平台采用先进的外延和专利设计技术，通过降低栅极电荷、输出电容、交越损耗和反向恢复电荷，在提高制造简易性的同时，相较于硅器件提升了效率。

商品特性

JEDEC认证的GaN技术
动态导通电阻（RDS(on)eff）经过生产测试
稳健设计，体现在：宽栅极安全裕量、瞬态过压能力
增强的浪涌电流能力
极低的反向恢复电荷（QRR）
降低的交越损耗

应用领域

数据通信
广泛工业领域
光伏逆变器
伺服电机

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	氮化镓晶体管(GaN HEMT)
	类型	N沟道
	技术路线	E-mode
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	34A
	耗散功率(Pd)	119W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	数量	1个N沟道
	栅极电荷量(Qg)	16nC
	输入电容(Ciss)	1000pF
	反向传输电容(Crss)	6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	110pF
	导通电阻(RDS(on))	50mΩ