立创商城logo
购物车0
LM5113TMX/NOPB引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LM5113TMX/NOPB

LM5113TMX/NOPB

品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LM5113TMX/NOPB
商品编号
C6286800
商品封装
DSBGA-12​
包装方式
编带
商品毛重
0.036克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)5A
属性参数值
拉电流(IOH)1.2A
工作电压4.5V~5.5V
上升时间(tr)7ns
下降时间(tf)1.5ns
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

LMG1205设计用于在同步降压、升压或半桥配置中驱动高端和低端增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管。该器件集成了一个100-V自举二极管,并且高端和低端输出具有独立输入,以实现最大的控制灵活性。高端偏置电压采用自举技术生成,并在内部钳位在5 V,这可防止栅极电压超过增强型GaN场效应晶体管的最大栅源电压额定值。LMG1205的输入与TTL逻辑兼容,无论VDD电压如何,都能承受高达14 V的输入电压。LMG1205具有分离式栅极输出,可灵活独立调整导通和关断强度。

此外,LMG1205强大的灌电流能力可使栅极保持低电平状态,防止在开关过程中意外导通。LMG1205可在高达数MHz的频率下工作。LMG1205采用12引脚DSBGA封装,具有紧凑的尺寸和最小的封装电感。

商品特性

  • 独立的高端和低端TTL逻辑输入
  • 1.2-A峰值源电流,5-A灌电流
  • 高端浮动偏置电压轨最高可工作在100 VDC
  • 内部自举电源电压钳位
  • 分离式输出,可调节导通和关断强度
  • 0.6-Ω下拉电阻,2.1-Ω上拉电阻
  • 快速传播时间(典型值35 ns)
  • 出色的传播延迟匹配(典型值1.5 ns)
  • 电源轨欠压锁定
  • 低功耗

应用领域

  • 电流馈电推挽式转换器
  • 半桥和全桥转换器
  • 同步降压转换器
  • 双开关正激转换器
  • 带有源钳位的正激转换器