LM5113TMX/NOPB
LM5113TMX/NOPB
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LM5113TMX/NOPB
- 商品编号
- C6286800
- 商品封装
- DSBGA-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 上升时间(tr) | 7ns | |
| 下降时间(tf) | 1.5ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
LMG1205设计用于在同步降压、升压或半桥配置中驱动高端和低端增强型氮化镓(GaN)场效应晶体管。该器件集成了一个100-V自举二极管,并且高端和低端输出具有独立输入,以实现最大的控制灵活性。高端偏置电压采用自举技术生成,并在内部钳位在5 V,这可防止栅极电压超过增强型GaN场效应晶体管的最大栅源电压额定值。LMG1205的输入与TTL逻辑兼容,无论VDD电压如何,都能承受高达14 V的输入电压。LMG1205具有分离式栅极输出,可灵活独立调整导通和关断强度。
此外,LMG1205强大的灌电流能力可使栅极保持低电平状态,防止在开关过程中意外导通。LMG1205可在高达数MHz的频率下工作。LMG1205采用12引脚DSBGA封装,具有紧凑的尺寸和最小的封装电感。
商品特性
- 独立的高端和低端TTL逻辑输入
- 1.2-A峰值源电流,5-A灌电流
- 高端浮动偏置电压轨最高可工作在100 VDC
- 内部自举电源电压钳位
- 分离式输出,可调节导通和关断强度
- 0.6-Ω下拉电阻,2.1-Ω上拉电阻
- 快速传播时间(典型值35 ns)
- 出色的传播延迟匹配(典型值1.5 ns)
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
应用领域
- 电流馈电推挽式转换器
- 半桥和全桥转换器
- 同步降压转换器
- 双开关正激转换器
- 带有源钳位的正激转换器

