GD25LQ16CSIGR

GD25LQ16C（16M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四线SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速率高达208Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速率高达416Mbits/s。

• 16M位串行闪存
• 2048K字节
• 每可编程页256字节
• 标准、双线、四线SPI
• 标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#
• 双线SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、WP#、HOLD#
• 四线SPI：SCLK、CS#、IO0、IO1、IO2、IO3
• 高速时钟频率
• 快速读取（30pF负载）达104MHz
• 双I/O数据传输速率高达208Mbits/s
• 四I/O数据传输速率高达416Mbits/s
• 支持就地执行操作
• 支持8/16/32/64字节回绕的连续读取
• 软件/硬件写保护
• 通过软件写保护全部/部分存储器
• 通过WP#引脚启用/禁用保护
• 顶部/底部块保护
• 至少100,000次编程/擦除周期
• 快速的编程/擦除速度
• 页编程时间：典型值0.7ms
• 扇区擦除时间：典型值40ms
• 块擦除时间：典型值0.15/0.18s
• 芯片擦除时间：典型值5s
• 灵活的架构
• 统一的4K字节扇区
• 统一的32/64K字节块
• 擦除/编程挂起/恢复
• 低功耗
• 典型待机电流9uA
• 典型掉电电流1uA
• 先进的安全特性
• 每个器件具有128位ID
• 3个512字节安全寄存器，支持一次性可编程锁定
• 单电源电压
• 全电压范围：1.65~2.1V
• 数据保持
• 典型数据保持期20年