GD25Q20CEIGR

GD25Q20C（2M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双线/四线SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度高达240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度高达480Mbits/s。

• 2M位串行闪存，容量256K字节，每页可编程256字节
• 支持标准、双线、四线SPI接口
• 高速时钟频率：快速读取时达120MHz（负载30pF），双I/O数据传输高达240Mbits/s，四I/O数据传输高达480Mbits/s
• 软件与硬件写保护功能：可通过软件写保护全部或部分存储器，支持使用WP#引脚启用或禁用保护，提供顶部/底部块保护
• 耐久性与数据保持：最小100,000次编程/擦除周期，典型数据保持时间20年
• 支持就地执行（XiP）操作：高速读取减少XiP指令获取时间，连续读取与回绕进一步降低数据延迟以填充SoC缓存
• 快速编程与擦除速度：页编程时间典型0.6ms，扇区擦除时间典型45ms，块擦除时间典型0.15/0.25s，芯片擦除时间典型1.25s
• 灵活架构：统一扇区大小4K字节，统一块大小32/64K字节
• 低功耗：典型深度掉电电流1μA，典型待机电流1μA
• 高级安全特性：每个设备具有128位ID，4个256字节安全寄存器带OTP锁，集成可发现参数（SFDP）寄存器
• 单电源电压：工作电压范围2.7~3.6V
• 封装形式：SOP8 150mil、SOP8 208mil、TSSOP8 173mil、DIP8 300mil、USON8（3×2mm，厚度0.45mm）、USON8（3×4mm）