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PJW4P06A-AU_R2_000A1
1个P沟道 耐压:60V 电流:4A
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-10V，ID@-4A < 110mΩ。RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-2A < 130mΩ。高开关速度。改善的dv/dt能力。低栅极电荷。低反向传输电容。AEC-Q101合格。符合欧盟RoHS 2.0的无铅产品。符合IEC 61249标准的绿色模塑料
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJW4P06A-AU_R2_000A1
- 商品编号
- C6252118
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29136克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 785pF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 当VGS为 - 10 V、ID为 - 4 A时，RDS(ON) < 110 mΩ
- 当VGS为 - 4.5 V、ID为 - 2 A时，RDS(ON) < 130 mΩ
- 高开关速度
- 改善的dv/dt能力
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的绿色模塑化合物