PJW5N06A_R2_00001
1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
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- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJW5N06A_R2_00001
- 商品编号
- C6252122
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.212克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V,5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 509pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON)：栅源电压VGS为10V、漏极电流ID为3.3A时，小于71mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON)：栅源电压VGS为4.5V、漏极电流ID为2.2A时，小于96mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用和固态继电器设计
- 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品
- 符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤素）
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