- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F1G08ABAEAWP-AITX:E TR
- 商品编号
- C6232118
- 商品封装
- TFSOP-48-18.4mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.919克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 700us | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；复制回写功能 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0规范
- 采用单层单元(SLC)技术
- 组织结构
- 页大小(x8)：2112字节(2048 + 64字节)
- 页大小(x16)：1056字(1024 + 32字)
- 块大小：64页(128K + 4K字节)
- 平面大小：2个平面，每个平面512个块
- 器件密度：1Gb：1024个块
- 异步I/O性能
- tRC/tWC：20ns (3.3V)，25ns (1.8V)
- 阵列性能
- 读取页：25μs
- 编程页：200μs (典型值，3.3V和1.8V)
- 擦除块：700μs (典型值)
- 命令集：ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集
- 页缓存编程模式
- 页缓存读取模式
- 一次性可编程(OTP)模式
- 双平面命令
- 读取ID
- 内部数据搬移
- 块锁定(仅限1.8V)
- 操作状态字节提供检测操作完成和通过/失败条件的软件方法
- 写保护状态
- 支持器件内部的内部数据搬移操作
- 就绪/忙(R/B#)信号提供检测操作完成的硬件方法
- WP#信号：写保护整个器件
- 出厂时第一个块(块地址00h)带有ECC，为有效状态。关于最低要求的ECC，请参见错误管理部分
- 如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位ECC
- 上电后需要将复位(FFh)作为第一条命令
- 上电后器件初始化的替代方法(Nand_Init)
- 质量与可靠性
- 数据保持：10年
- 耐久性：100,000次编程/擦除周期
- 工作电压范围
- VCC：2.7 - 3.6 V
- VCC：1.7 - 1.95 V
- 工作温度：
- 汽车工业级(AIT)：-40℃ 至 +85℃
- 封装
- 48引脚TSOP Type 1，中心分型线
- 63球VFBGA
- MT29F1G16ABBDAH4-ITX:D
- MT29F2G08ABBEAHC-AIT:E
- MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
- MT29F4G08ABADAH4:D
- MT29F4G08ABAFAH4-AAT:F TR
- MTLW-112-05-G-D-150
- MTLW-112-06-G-D-125
- DW-05-11-T-S-570
- DW-08-08-F-S-245
- DW-05-12-F-D-630
- DW-08-08-F-S-248
- MTLW-112-07-S-D-242
- DW-05-12-F-S-710
- MTLW-112-08-G-D-335
- DW-08-08-G-D-220
- MTLW-112-09-G-S-325
- DW-08-08-G-S-282
- MTLW-112-09-G-S-478
- DW-05-12-G-D-665
- MTLW-112-24-SM-S-280
- DW-08-08-L-D-200