Name: micron(镁光) MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E
Brand: micron(镁光)
SKU: C6232143
Price: 13.29 CNY
Availability: OutOfStock

符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
单层单元（SLC）技术
组织架构：页大小x8：2112字节（2048 + 64字节）；页大小x16：1056字（1024 + 32字）；块大小：64页（128K + 4K字节）；平面大小：2平面 x 每平面1024块；设备大小：2Gb：2048块
异步I/O性能：tRC / tWC：20纳秒（3.3V），25纳秒（1.8V）
阵列性能：读页：25微秒；编程页：200微秒（典型值：1.8V，3.3V）；擦除块：700微秒（典型值）
命令集：ONFI NAND闪存协议
高级命令集：编程页缓存模式；读页缓存模式；一次性可编程（OTP）模式；双平面命令；交错芯片（LUN）操作；读取ID；块锁定（仅1.8V）；内部数据移动
操作状态字节提供检测操作完成和通过/失败条件的软件方法
写保护状态
就绪/忙#（R/B#）信号提供检测操作完成的硬件方法
WP#信号：写保护整个设备
第一个块（块地址00h）在出厂时带有ECC有效
如果编程/擦除周期少于1000，块0需要1位ECC
上电后第一个命令需要RESET（FFh）
内部数据移动操作在读取数据的平面内支持
质量和可靠性：数据保持：10年；耐久性：100,000次编程/擦除周期
工作电压范围：VCC：2.7 - 3.6 V；VCC：1.7 - 1.95 V
工作温度：汽车工业级（AIT）：-40℃ 至 +85℃；汽车级（AAT）：-40℃ 至 +105℃
封装：48引脚TSOP类型1，CPL；63球VFBGA

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	700us
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	-40℃~+105℃
	待机电流	-
	擦写寿命	10万次
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能

MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E

商品参数