- 引脚图
- 焊盘图
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MP1921GQ-B-Z
MP1921GQ-B-Z
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- 品牌名称
- MPS(芯源)
- 商品型号
- MP1921GQ-B-Z
- 商品编号
- C6227837
- 商品封装
- QFN-10(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.113克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 3.5A | |
| 拉电流(IOH) | 2.5A | |
| 工作电压 | 9V~18V | |
| 上升时间(tr) | 12ns | |
| 下降时间(tf) | 9ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | - | |
| 传播延迟 tpHL | - | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 100uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；死区时间控制 |
商品概述
MP1921B是一款高频100V半桥N沟道功率MOSFET驱动器。其低端和高端驱动通道独立控制且匹配，延时小于5ns。高端和低端电源均具备欠压锁定功能，在电源不足时强制输出为低电平。集成的自举二极管减少了外部元件数量。
商品特性
- 驱动N沟道MOSFET半桥
- 120V VBST电压范围
- 片上自举二极管
- 典型传播延迟时间为16ns
- 栅极驱动匹配时间小于5ns
- 在VDD为12V时，以12ns/9ns的上升/下降时间驱动1nF负载
- TTL兼容输入
- 静态电流小于150μA
- 高端和低端均具备欠压锁定功能
- 采用QFN10（3mmx3mm）封装
应用领域
- 电信半桥电源
- DC/DC转换器
- 双开关正激转换器
- 有源钳位正激转换器
- 直流电机驱动器
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