- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4626ADY-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4626ADY-T1-E3
- 商品编号
- C6222890
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.37nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- TrenchFET 功率 MOSFET
- 100% 进行 Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 低端 DC/DC 转换
- 笔记本电脑
- 游戏设备
- SI4686DY-T1-E3
- SI4692-A10-GM
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- SI52161-A11AGMR
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- SI5330M-B00232-GM
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- M39012/55-3128
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- M39012/56-3125
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