- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SI4686DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:30V 电流:18.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4686DY-T1-E3
- 商品编号
- C6222892
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 5.2W；3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.22nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 采用极低栅漏电荷(Qgd)的 WFET® 技术,实现低开关损耗
- TrenchFET® 功率 MOSFET
- 100% 进行栅极电阻(Rg)测试
应用领域
- 高端 DC/DC 转换
- 笔记本电脑
- 服务器
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