S25HL02GTDPBHB050

该产品采用45纳米MIRRORBIT技术，每个存储单元可存储两个数据位。提供多芯片封装选项，包括双芯片封装和四芯片封装。提供统一扇区和混合扇区两种架构选项。具有256或512字节的页编程缓冲区，以及1024字节的一次性可编程安全硅阵列。支持多种接口协议，包括单路、双路和四路串行外设接口，支持单倍数据率和双倍数据率模式。

• 提供功能安全特性，符合ISO26262 ASIL B标准并支持ASIL D。
• 采用耐久性灵活架构，提供高耐久性和长数据保持分区。
• 数据完整性循环冗余校验可检测存储阵列中的错误。
• 安全启动功能可报告设备初始化失败，检测配置损坏并提供恢复选项。
• 内置错误校正码，可校正存储阵列数据中的单位错误并检测双位错误。
• 提供扇区擦除状态指示，用于擦除过程中的电源中断情况。
• 提供传统块保护和高级扇区保护等数据保护方案。
• 支持通过片选信号、独立复位引脚或数据引脚进行硬件复位。