IXTF02N450
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 4.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 625Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 78W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 直接覆铜陶瓷基板(DCB)上的硅芯片
- 隔离安装面
- 4500 V 电气隔离
- 模塑环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 高压封装
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 高压电源
- 电容放电应用
- 脉冲电路
- 激光和 X 射线发生系统