IPI65R660CFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IPI65R660CFD
- 商品编号
- C6210894
- 商品封装
- TO-262-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 660mΩ@10V,2.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 615pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
CoolMOS tm 是一种革命性的高压功率MOSFET技术，根据超级结（SJ）原理设计，并由英飞凌科技公司率先推出。650V CoolMOS TM CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高水平的创新。由此产生的器件提供了快速切换SJ MOSFET的所有优点，同时提供了一个极其快速且坚固的体二极管。这种极低的切换、换流和导通损耗与最高稳健性的结合，使得谐振切换应用更加可靠、高效、轻便和冷却。
商品特性
- 超快速体二极管
- 极高的换向鲁棒性
- 由于极低的FOM Rdson * Qg和Eoss，损耗极低
- 易于使用/驱动
- 根据JEDEC（J-STD20和JESD22）标准，适用于工业级应用
- 无铅镀层，提供无卤素模塑化合物选项
应用领域
- 650V CoolMOSTM CFD2 特别适合用于例如PC银盒、LCD电视、照明、服务器、电信和太阳能的谐振开关PWM阶段。
优惠活动
购买数量
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