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IPW65R099CFD7AXKSA1实物图
  • IPW65R099CFD7AXKSA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IPW65R099CFD7AXKSA1

1个N沟道 耐压:650V 电流:15A

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描述
650V CoolMOS CFD7A提供集成快速体二极管,可用于PFC和ZVS相移全桥和LLC等谐振开关拓扑。
商品型号
IPW65R099CFD7AXKSA1
商品编号
C6211009
商品封装
TO-247-3-41​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)15A
导通电阻(RDS(on))99mΩ@10V
耗散功率(Pd)127W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V
栅极电荷量(Qg)53nC@10V
输入电容(Ciss)2.513nF
反向传输电容(Crss)36pF
工作温度-40℃~+150℃

商品概述

650V CoolMOS CFD7A 集成了快速体二极管,可用于功率因数校正(PFC)和零电压开关(ZVS)移相全桥、 LLC 等谐振开关拓扑。

商品特性

  • 市场上最新的具备集成快速体二极管的650V汽车级技术,具有超低的 Qrr
  • 最低的品质因数 RDS(on)^*Qg 和 RDS(on)^*Eoss
  • 经过100%雪崩测试
  • SMD和THD封装中同类最佳的RDS(ON)

应用领域

-单向和双向DC-DC转换器-车载电池充电器

数据手册PDF