CY15V102QN-50SXET

EXCELON™ LP CY15X102QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗2Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与随机存取存储器类似。它能够可靠地保存数据达151年，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器所带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X102QN能够以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列。下一个总线周期可以立即开始，无需进行数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显著的写耐久性。CY15X102QN能够支持10¹⁵次读写循环，比EEPROM的写循环次数多100亿倍。这些特性使CY15X102QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。应用范围从数据收集（写循环次数可能至关重要）到要求苛刻的工业控制（串行闪存或EEPROM的长写入时间可能导致数据丢失）。CY15X102QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。CY15X102QN使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。该设备还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

• 2Mb 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，逻辑组织为 256K × 8
• 几乎无限的耐久性，达 1000 万亿 (10^15) 次读/写周期
• 151 年数据保留
• 即时非易失性写入技术
• 先进的高可靠性铁电工艺
• 快速 SPI
• 频率高达 50 MHz
• 支持 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1)
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护 (WP) 引脚的硬件保护
• 使用写禁用 (WRDI) 指令的软件保护
• 软件块保护，支持 1/4、1/2 或整个阵列
• 设备 ID 和序列号
• 设备 ID 包含制造商 ID 和产品 ID
• ID
• 序列号
• 专用的 256 字节特殊扇区 F-RAM
• 专用的特殊扇区写入和读取
• 存储内容可承受多达三次标准回流焊接周期
• 低功耗
• 在 40 MHz 下，典型工作电流为 2.4 mA
• 典型待机电流为 2.3 μA
• 典型深度掉电模式电流为 0.70 μA
• 典型休眠模式电流为 0.1 μA
• 低电压操作
• CY15V102QN：VDD = 1.71 V 至 1.89 V
• CY15B102QN：VDD = 1.8 V 至 3.6 V
• 工业操作温度：-40℃ 至 +85℃
• 封装
• 8 引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装
• 8 引脚薄型双扁平无引线 (DFN) 封装
• 8 引脚塑料双列直插 (PDIP) 封装
• 符合有害物质限制 (RoHS) 标准

• 数据收集
• 工业控制