CY15V116QN-40BKXI

EXCELON™ LP CY15X116QN是一款采用先进铁电工艺的低功耗16Mb非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它能提供151年可靠的数据保留时间，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，CY15X116QN能以总线速度执行写操作，无写延迟。数据在每个字节成功传输到设备后立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显著的写耐久性。CY15X116QN能够支持10^15次读写循环，比EEPROM的写循环次数多10亿倍。这些特性使CY15X116QN非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，应用范围从对写循环次数要求严格的数据收集，到对串行闪存或EEPROM写时间过长可能导致数据丢失有严格要求的工业控制。CY15X116QN作为串行EEPROM或闪存的硬件直接替代品，为用户带来了显著的好处。它使用高速SPI总线，增强了F-RAM技术的高速写入能力。该设备集成了只读设备ID和唯一ID功能，使主机能够确定每个部件的制造商、产品密度、产品版本和唯一ID。此外，该设备还提供了可写的8字节序列号寄存器，可用于识别特定的电路板或系统。

• 16Mb 铁电随机存取存储器 (F-RAM)，逻辑组织为 2048K × 8
• 读写耐久性达 1000 万亿 (10^15) 次
• 151 年数据保留
• 即时非易失性写入技术
• 先进高可靠性铁电工艺
• 快速串行外设接口 (SPI)
• 频率高达 40 MHz
• 支持 SPI 模式 0 (0, 0) 和模式 3 (1, 1)
• 复杂的写保护方案
• 使用写保护 (WP) 引脚的硬件保护
• 使用写禁用 (WRDI) 指令的软件保护
• 软件块保护，支持 1/4、1/2 或整个阵列
• 设备 ID 和序列号
• 制造商 ID 和产品 ID
• 设备 ID
• 序列号
• 专用 256 字节特殊扇区 F-RAM
• 专用特殊扇区读写
• 存储内容可承受最多三次标准回流焊循环
• 低功耗消耗
• 40MHz 下典型工作电流 2.7 mA
• 典型待机电流 14μA
• 典型深度掉电模式电流 1.10μA
• 典型休眠模式电流 0.1μA
• 低电压操作
• VDD = 1.71V 至 1.89V
• CY15B116QN: VDD = 1.8V 至 3.6V
• 工业操作温度：-40℃ 至 +85℃
• 封装
• 24 球细间距球栅阵列 (24-ball FBGA)
• 符合有害物质限制 (RoHS) 标准

• 数据收集
• 工业控制