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GS82583ED18GK-625I引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS82583ED18GK-625I

GS82583ED18GK-625I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS82583ED18GK-625I
商品编号
C6203842
商品封装
BGA-260(14x22)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型-
存储容量288Mbit
工作电压1.25V~1.35V
读写时间-
属性参数值
工作温度-40℃~+100℃
工作电流1.45A
待机电流-
功能特性边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环

商品概述

SigmaQuad-IIIe SRAM是高性能SRAM SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe系列中独立I/O的部分。尽管与GSI的第二代网络SRAM(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代器件提供了几个新特性,有助于显著提高性能。GS82583ED18/36GK SigmaQuad-IIIe SRAM是同步器件,采用三对正负输入时钟,分别用于锁存地址和控制输入、控制输出时序以及锁存数据输入。每个内部读写操作比器件I/O总线宽四倍,使用输入数据总线解复用器和输出数据复用器处理数据。对于供电,电源必须同时上电或按特定顺序上电,下电时也需同时或按相反顺序。上电后需遵循特定的启动序列。

商品特性

  • 提供8兆位×36和16兆位×18两种组织架构
  • 最高工作频率为675兆赫
  • 峰值传输速率为675兆次每秒
  • 峰值数据带宽为97吉比特每秒
  • 采用独立的输入输出双倍数据率数据总线和非复用的单倍数据率地址总线
  • 每个时钟周期执行一次读取或写入操作
  • 支持突发长度为4的读取和写入操作
  • 读取延迟为3个周期
  • 标称核心电压为1.3伏
  • 支持1.2伏、1.3伏或1.5伏的高速收发器逻辑输入输出接口
  • 支持可配置的片上终端电阻
  • 提供ZQ引脚用于可编程驱动阻抗
  • 提供ZT引脚用于可编程终端阻抗
  • 符合IEEE 1149.1边界扫描标准
  • 采用260引脚、14毫米×22毫米尺寸、1毫米球间距、符合有害物质限制指令的球栅阵列封装

应用领域

  • 网络设备
  • 通信设备
  • 高性能计算系统
  • 数据存储系统

数据手册PDF