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GS8673EQ36BGK-675I引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

GS8673EQ36BGK-675I

GS8673EQ36BGK-675I

品牌名称
广船国际技术
商品型号
GS8673EQ36BGK-675I
商品编号
C6203857
商品封装
BGA-260(14x22)​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
接口类型-
存储容量-
工作电压1.3V~1.4V
读写时间-
属性参数值
工作温度-40℃~+100℃
工作电流-
待机电流-
功能特性内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环

商品概述

SigmaQuad-IIIe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe中采用独立I/O的产品。尽管与GSI第二代网络SRAM(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代设备提供了一些新特性,有助于实现显著更高的性能。GS8673EQ18/36BK SigmaQuad-IIIe ECCRAM是同步设备,采用双单端主时钟CK和CK(上划线)来控制地址和控制输入寄存器以及所有输出时序,KD和KD(上划线)时钟用于控制数据输入寄存器。SigmaQuad-IIIe B2 ECCRAM的每次内部读写操作比设备I/O总线宽两倍,通过输入数据总线解复用器和输出数据复用器处理数据。GSI的ECCRAM实现了ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,预计这些设备的软错误率(SER)< 0.002 FITs/Mb,比无片上ECC的同类SRAM有5个数量级的改善。为保证可靠性,电源必须同时上电或按VSS、VDD、VDDQ、VREF和输入的顺序上电,同时下电或按相反顺序下电,上电后需遵循特定启动序列。

商品特性

  • 片上ECC,软错误率几乎为零
  • 可配置读取延迟(3.0或2.0个周期)
  • 同时读写的SigmaQuad-IIIe接口
  • 独立I/O总线
  • 双倍数据速率接口
  • 2次突发读写
  • 流水线读取操作
  • 完全连贯的读写流水线
  • 标称1.35V的VDD
  • 1.2V JESD8 - 16A BIC - 3兼容接口
  • 1.5V HSTL接口
  • 用于可编程输出驱动阻抗的ZQ引脚
  • 用于可编程输入终端阻抗的ZT引脚
  • 可配置输入终端
  • 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
  • 260球、14mm×22mm、1mm球间距的BGA封装
  • K:符合5/6 RoHS标准的封装
  • GK:符合6/6 RoHS标准的封装

数据手册PDF