GS8673EQ36BGK-675I
GS8673EQ36BGK-675I
- 品牌名称
- 广船国际技术
- 商品型号
- GS8673EQ36BGK-675I
- 商品编号
- C6203857
- 商品封装
- BGA-260(14x22)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | - | |
| 存储容量 | - | |
| 工作电压 | 1.3V~1.4V | |
| 读写时间 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+100℃ | |
| 工作电流 | - | |
| 待机电流 | - | |
| 功能特性 | 内置ECC功能;边界扫描(JTAG)功能;内置延迟锁定环 |
商品概述
SigmaQuad-IIIe ECCRAM是高性能ECCRAM系列SigmaQuad-IIIe/SigmaDDR-IIIe中采用独立I/O的产品。尽管与GSI第二代网络SRAM(SigmaQuad-II/SigmaDDR-II系列)非常相似,但这些第三代设备提供了一些新特性,有助于实现显著更高的性能。GS8673EQ18/36BK SigmaQuad-IIIe ECCRAM是同步设备,采用双单端主时钟CK和CK(上划线)来控制地址和控制输入寄存器以及所有输出时序,KD和KD(上划线)时钟用于控制数据输入寄存器。SigmaQuad-IIIe B2 ECCRAM的每次内部读写操作比设备I/O总线宽两倍,通过输入数据总线解复用器和输出数据复用器处理数据。GSI的ECCRAM实现了ECC算法,可检测和纠正所有单比特内存错误,预计这些设备的软错误率(SER)< 0.002 FITs/Mb,比无片上ECC的同类SRAM有5个数量级的改善。为保证可靠性,电源必须同时上电或按VSS、VDD、VDDQ、VREF和输入的顺序上电,同时下电或按相反顺序下电,上电后需遵循特定启动序列。
商品特性
- 片上ECC,软错误率几乎为零
- 可配置读取延迟(3.0或2.0个周期)
- 同时读写的SigmaQuad-IIIe接口
- 独立I/O总线
- 双倍数据速率接口
- 2次突发读写
- 流水线读取操作
- 完全连贯的读写流水线
- 标称1.35V的VDD
- 1.2V JESD8 - 16A BIC - 3兼容接口
- 1.5V HSTL接口
- 用于可编程输出驱动阻抗的ZQ引脚
- 用于可编程输入终端阻抗的ZT引脚
- 可配置输入终端
- 符合IEEE 1149.1 JTAG标准的边界扫描
- 260球、14mm×22mm、1mm球间距的BGA封装
- K:符合5/6 RoHS标准的封装
- GK:符合6/6 RoHS标准的封装

