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RQ3E080BNTB

1个N沟道耐压:30V 电流:15A

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描述: 特性：低导通电阻。高功率封装 (HSMT8)。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。无卤。应用：开关
品牌名称: ROHM(罗姆)
商品型号: RQ3E080BNTB
商品编号: C6201360
商品封装: HSMT-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.087356克(g)

商品参数

商品概述

CPC3902是一款250V的N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用专有的第三代垂直双扩散MOS（DMOS）工艺制造，在经济的硅栅工艺中实现了高电压性能。这种垂直DMOS工艺生产出的器件坚固耐用，输入阻抗高，适用于电源应用。与所有MOS器件一样，该场效应晶体管（FET）结构可防止热失控和热致二次击穿，这使得CPC3902非常适合用于高功率应用。 CPC3902采用SOT - 223封装。

商品特性

低导通电阻
高功率封装(HSMT8)
无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准
无卤素

应用领域

开关应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	15A
	导通电阻(RDS(on))	11mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	14W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V
	栅极电荷量(Qg)	14.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	660pF
	反向传输电容(Crss)	75pF
	输出电容(Coss)	90pF