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RQ3E080BNTB
1个N沟道 耐压:30V 电流:15A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 高功率封装 (HSMT8)。 无铅镀铅；符合 RoHS 标准。 无卤。应用：开关
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E080BNTB
- 商品编号
- C6201360
- 商品封装
- HSMT-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 14W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
CPC3902是一款250V的N沟道耗尽型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用专有的第三代垂直双扩散MOS（DMOS）工艺制造，在经济的硅栅工艺中实现了高电压性能。这种垂直DMOS工艺生产出的器件坚固耐用，输入阻抗高，适用于电源应用。 与所有MOS器件一样，该场效应晶体管（FET）结构可防止热失控和热致二次击穿，这使得CPC3902非常适合用于高功率应用。 CPC3902采用SOT - 223封装。
商品特性
- 高击穿电压：250V
- 导通电阻：25°C时最大2.5Ω
- 低栅源截止电压（VGS(off)）：-1.4至 - 3.1V
- 高输入阻抗
- 小封装尺寸：SOT - 223
应用领域
- 电流调节器
- 常开开关
- 固态继电器
- 转换器
- 电信
- 电源