RQ3E100MNTB1
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RQ3E100MNTB1
- 商品编号
- C6201362
- 商品封装
- HSMT-8(3x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.3mΩ@10V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF@15V |
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