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GBS60037TOB
1个N沟道 耐压:600V 电流:60A
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- 描述
- 600V高压超结MOSFET实现了超低导通电阻和栅极电荷。由于开关性能和传导性能之间的出色平衡，在谐振开关拓扑中提供了非常高的效率。超快体二极管使其适用于高开关频率应用，并支持高功率密度应用。
- 品牌名称
- GOSEMICON(顾邦半导体)
- 商品型号
- GBS60037TOB
- 商品编号
- C6152382
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF@400V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CBTD3306双FET总线开关具有独立线路开关。当相关的输出使能（nOE）输入为高电平时，每个开关将被禁用。 CBTD3306可在-40°C至+85°C的温度范围内工作。
商品特性
- 内置二极管，适用于5 V至3.3 V电平转换应用
- 两端口间的开关连接电阻为5Ω
- 输入电平与TTL兼容
- 提供多种封装选项
- I_OFF电路支持部分掉电模式操作
- 闩锁保护能力超过100 mA（符合JESD78B标准）
- ESD保护：
- HBM（符合JESD22 - A114F标准）超过2000 V
- CDM（符合JESD22 - C101E标准）超过1000 V