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DMG1029SVQ-7实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

DMG1029SVQ-7

1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:500mA

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描述: 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于通用接口开关、电源管理功能和模拟开关。
品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: DMG1029SVQ-7
商品编号: C674418
商品封装: SOT-563
包装方式: 编带
商品毛重: 0.029克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V；60V
	连续漏极电流(Id)	500mA；360mA
	导通电阻(RDS(on))	1.7Ω@10V；3Ω@4.5V；6Ω@4.5V；4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	450mW；1W
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA；3V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	300pC@4.5V；280pC@4.5V
	输入电容(Ciss)	30pF；25pF
	反向传输电容(Crss)	2.9pF；2.7pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	4.7pF；4.2pF

数据手册PDF

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