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DMG1029SVQ-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
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- 描述
- 该MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，适用于通用接口开关、电源管理功能和模拟开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1029SVQ-7
- 商品编号
- C674418
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.029克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V；60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 500mA；360mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@10V；3Ω@4.5V；6Ω@4.5V；4Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW；1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 300pC@4.5V；280pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 30pF；25pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.9pF；2.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.7pF；4.2pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于通用接口开关、电源管理功能和模拟开关。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 超小表面贴装封装
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,在通过IATF 16949认证的工厂生产
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
- 模拟开关
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