P3M06060L8
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@15V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF@400V | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：通用接口开关、电源管理功能、模拟开关
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- BSS84Q适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件通过了AEC-Q101认证，具备PPAP能力，且在通过IATF 16949认证的工厂生产。
应用领域
- 通用接口开关-电源管理功能-模拟开关
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