P3M171K2K3
1个N沟道 耐压:1.7kV 电流:6A
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- 品牌名称
- PN Junction
- 商品型号
- P3M171K2K3
- 商品编号
- C6140967
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
P沟道增强型逻辑电平场效应功率晶体管。该器件具有低阈值电压和极快的开关速度，非常适合电池供电应用和高速数字接口。 BSH207采用SOT457超小型表面贴装封装。
商品特性
- 高阻断电压,低导通电阻
- 高频操作
- 极小微栅漏电荷(Qgd)
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 太阳能逆变器
- 电动汽车电池充电器
- 高压直流/直流转换器
- 开关模式电源
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