P3M06060L8
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 37A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 79mΩ@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 156W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 反向传输电容(Crss) | 8.3pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，有生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于：通用接口开关、电源管理功能、模拟开关
商品特性
- 高阻断电压,低导通电阻
- 高频操作
- 超小栅漏电荷(Qgd)
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
-太阳能逆变器-电动汽车电池充电器-高压直流/直流转换器-开关模式电源
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