BSP100,135
1个N沟道 耐压:30V 电流:3.2A
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSP100,135
- 商品编号
- C6135572
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@10V,2.2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 8.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 250pF@20V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。这些器件包括TrenchPLUS电流感应功能和用于静电放电（ESD）保护的二极管。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 集成保护二极管，静电耐受性强
- 集成电流传感器，减少元件数量
- 导通电阻低，传导损耗小
- 适用于标准电平栅极驱动源
- 符合Q101标准
应用领域
- 电动助力转向系统(EPAS)-发动机可变气门正时系统