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BUK7S2R0-40HJ
N沟道40V 2mΩ标准电平MOSFET
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- 描述
- 采用最新沟槽9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，封装于铜夹LFPAK88中。该产品经过全面设计和认证，满足并超越AEC-Q101要求，具备高性能和高可靠性。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BUK7S2R0-40HJ
- 商品编号
- C6136026
- 商品封装
- LFPAK-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.175359克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 183W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 70nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.075nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 343pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 950pF |
商品特性
- 工作温度范围为 - 55 °C至 + 175 °C,适用于对散热要求高的环境
- 与D2PAK等旧款引线键合封装相比,设计的占位面积更小,功率密度更高,适用于当今空间受限的高功率汽车应用
- 薄型封装和铜夹使LFPAK88具有高效的散热性能
- 最大电流能力增强,电流分布出色
- 改善了导通电阻RDS(on)
- 源极电感低
- 热阻Rth低
- 引脚灵活,能吸收机械和热循环应力,实现高板级可靠性,这与传统QFN封装不同
- 可进行目视(AOI)焊接检查,无需昂贵的X射线设备
- 易于焊接,可形成良好的机械焊点
- 减小单元间距和采用超结平台,可在相同占位面积下降低导通电阻RDS(on)
- 与标准沟槽MOS相比,安全工作区(SOA)和雪崩能力得到改善
- 栅源阈值电压VGS(th)范围窄,便于MOSFET并联
应用领域
- 12 V汽车系统
- 48 V DC/DC系统(12 V次级侧)
- 更高功率的电机、灯具和电磁阀控制
- 反极性保护
- 超高性能功率开关