NTE2378
1个N沟道 耐压:900V 电流:5A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2378
- 商品编号
- C6134983
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.6Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 120W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
适用于基站应用的140 W LDMOS功率晶体管，工作频率范围为2500 MHz至2700 MHz。
商品特性
-低导通电阻-超高速开关
应用领域
-开关电源-不间断电源-电机速度控制