NTE2991
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
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- 品牌名称
- NTE Electronics
- 商品型号
- NTE2991
- 商品编号
- C6135009
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 146nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.247nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
适用于基站应用的240 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2500 MHz至2700 MHz。
商品特性
- 超低导通电阻
- 动态 dv/dt 额定值
- +175°C 工作温度
- 快速开关
- 全雪崩额定值
应用领域
- 基站用射频功率放大器
- 2500 MHz至2700 MHz频率范围内的多载波应用