- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BLC8G27LS-60AVZ
BLC8G27LS-60AVZ
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLC8G27LS-60AVZ
- 商品编号
- C6131935
- 商品封装
- SOT-1275-3
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.35V | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的60 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管,工作频率范围为2300 MHz至2690 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻,提供出色的热稳定性
- 去耦引脚,可改善视频带宽
- 较低的输出电容,可提高Doherty应用中的性能
- 专为低记忆效应设计,具有出色的预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 用于2300 MHz至2690 MHz频率范围的LTE基站和多载波应用的RF功率放大器
- BLF7G27LS-100,112
- BLF8G20LS-200V,112
- BLF8G27LS-100J
- BLF9G38-10GU
- BLC9G20LS-120VTZ
- BKT-109-02-L-V
- BLDC50-BL23E22-01
- BKT-109-03-L-V-TR
- BLDC50-BL23E48-02
- BKT-111-01-L-V
- BLF7G22LS-250P,112
- BKT-113-04-L-V
- BKT-125-05-F-V
- BKT-133-03-F-V
- BL-BKC1V4V-AT
- BL-BUBGE271G
- BL-HJX32A
- BL03RN2R1N1A
- BLA05-12W06
- BLH356K122C114
- BLDC50-BL23E33-02