- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BLF8G27LS-140,112
BLF8G27LS-140,112
- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLF8G27LS-140,112
- 商品编号
- C6131979
- 商品封装
- SOT-502B
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 栅极电压(Vgs) | 13V |
商品概述
适用于基站应用的140 W LDMOS功率晶体管,工作频率范围为2500 MHz至2700 MHz。
商品特性
- 出色的耐用性
- 高效率
- 低热阻(Rth),提供出色的热稳定性
- 较低的输出电容,提升Doherty应用性能
- 低记忆效应设计,具备出色的预失真能力
- 内部匹配,使用方便
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
适用于2500 MHz至2700 MHz频率范围的W-CDMA基站和多载波应用的射频功率放大器
- BLM7G1822S-20PBGY
- BLM41PG750SZ1L
- BLS114-2-32H51
- BLS2828-12-08H11
- BM CMS(T&R) 90/20
- BM14B(0.8)-50DS-0.4V(51)
- BM10B(0.8)-24DP-0.4V(51)
- BM14B(0.8)-60DS-0.4V(53)
- BM15FR0.8-10DP-0.35V(51)
- BM1SRK12031CW
- BM20B(0.6)-20DS-0.4V(53)
- BM23FR0.8-10DS-0.35V(51)
- BM20B(0.6)-40DP-0.4V(53)
- BM23PF0.8-14DP-0.35V(895)
- BM20B(0.6)-50DP-0.4V(51)
- BM23PF0.8-20DS-0.35V(895)
- BM23PF0.8-30DS-0.35V(51)
- BM23FR0.6-20DP-0.35V(51)
- BM24-50DS/2-0.35V(53)
- BM23FR0.6-34DS-0.35V(51)
- BM23FR0.6-8DP-0.35V(51)