MX25L3273EM2I-10G

MX25L3273E是32Mb的串行闪存，内部配置为4,194,304 x 8。当处于双I/O或四I/O模式时，结构变为16,777,216位 x 2或8,388,608位 x 4。

• 与串行外设接口兼容——模式0和模式3
• 33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位（双I/O模式）结构或8,388,608 x 4位（四I/O模式）结构
• 1024个相等的扇区，每个扇区4K字节
• 任何扇区都可以单独擦除
• 128个相等的块，每个块32K字节
• 任何块都可以单独擦除
• 64个相等的块，每个块64K字节
• 任何块都可以单独擦除
• 电源操作：读、擦除和编程操作电压为2.7 ~ 3.6伏
• 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁保护
• 永久固定QE位，QE = 1，启用四I/O模式
• 高性能：VCC = 2.7 ~ 3.6V
• 正常读取：50MHz
• 快速读取：1 I/O：104MHz，8个空周期；2 I/O：86MHz，2READ指令4个空周期；4 I/O：高达104MHz；4 I/O读取操作可配置空周期数
• 快速编程时间：0.7ms（典型值）和3ms（最大值）/页（每页256字节）
• 字节编程时间：12us（典型值）
• 连续编程模式（字编程模式下自动增加地址）
• 快速擦除时间：30ms（典型值）/扇区（每扇区4K字节）；0.25s（典型值）/块（每块64K字节）；10s（典型值）/芯片
• 低功耗：104MHz时低有源读取电流19mA（最大值），33MHz时10mA（最大值）；低有源编程电流15mA（典型值）；低有源扇区擦除电流10mA（典型值）；低待机电流15μA（典型值）；深度掉电电流1μA（典型值）
• 典型100,000次擦除/编程循环
• 20年数据保留
• 输入数据格式：1字节命令代码
• 高级安全特性：BP0 - BP3块组保护；当OTP WPSEL = 1时灵活的单个块保护；额外4K位安全OTP用于唯一标识符
• 自动擦除和自动编程算法：自动擦除并验证所选扇区的数据；通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据，该算法自动确定编程脉冲宽度（任何要编程的页面应首先处于擦除状态）
• 状态寄存器特性
• 电子标识：JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID；RES命令用于1字节设备ID；REMS、REMS2、REMS4命令用于1字节制造商ID和1字节设备ID
• 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
• SCLK输入：串行时钟输入
• SI/SIO0：双I/O模式和四I/O模式下的串行数据输入或串行数据输入/输出
• SO/SI01：双I/O模式和四I/O模式下的串行数据输出或串行数据输入/输出
• SIO2：四I/O模式下的串行数据输入/输出
• SIO3：四I/O模式下的串行数据输入/输出
• 封装：16引脚SOP（300mil）；8引脚SOP（200mil）；8引脚VSOP（200mil）；8引脚WSON（6x5mm）
• 所有器件均符合RoHS标准且无卤