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MX68GL1G0GUT2I-11G
单电压，仅支持3V的闪存
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- 描述
- 特性：读、擦除和编程操作的电源电压为2.7至3.6伏。 H/L：VI/O = VCC = 2.7V至3.6V，VI/O电压必须与VCC紧密匹配。 U/D：输入/输出的VI/O = 1.65V至3.6V。 字节/字模式可切换
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX68GL1G0GUT2I-11G
- 商品编号
- C6121832
- 商品封装
- TFSOP-56-18.4mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 33MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 40uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | - | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护；软件写保护；上电复位 |
商品特性
- 电源操作：
- 读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏
- 高/低电平：VI/O = VCC = 2.7V至3.6V，VI/O电压必须与VCC紧密匹配
- 上/下电平：输入/输出的VI/O = 1.65V至3.6V
- 字节/字模式可切换
- 512Mb：67,108,864 x 8 / 33,554,432 x 16
- 1Gb：134,217,728 x 8 / 67,108,864 x 16
- 64KW/128KB统一等扇区架构
- 32字节/16字页读取缓冲区
- 256字写入缓冲区
- 额外的512字安全扇区
- 具备工厂锁定和可识别功能，且客户可锁定
- 从 -1V到1.5倍Vcc的情况下，闩锁保护电流达100mA
- 低Vcc写入禁止：Vcc ≤ VLKO
- 与JEDEC标准兼容
- 引脚输出和软件与单电源闪存兼容
- 高性能：
- 快速访问时间：
- 高/低电平：100ns
- 上/下电平：（原文未给出）