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LTC1155CS8#TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LTC1155CS8#TRPBF

双通道、高端微功率 MOSFET 驱动器

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品牌名称
ADI(亚德诺)
商品型号
LTC1155CS8#TRPBF
商品编号
C674684
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.169克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置高边
负载类型MOSFET
驱动通道数2
属性参数值
灌电流(IOL)-
工作电压4.5V~18V
上升时间(tr)-
工作温度0℃~+70℃

商品概述

LTC1155双高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的N沟道FET。内部电荷泵将栅极电压提升至正电源轨之上,无需外部元件即可完全增强N沟道MOSFET。微功耗运行,待机电流为8µA,工作电流为85µA,几乎可在所有系统中实现最高效率。 片上集成过流检测功能,可在发生短路时自动关断。可在电流检测电路中串联一个延时电路,以防止在电容和白炽灯等高浪涌负载情况下误触发。 LTC1155的电源输入范围为4.5V至18V,可安全驱动几乎所有FET的栅极。LTC1155非常适合低压(电池供电)应用,特别是需要微功耗“休眠”运行的场合。 LTC1155提供8引脚PDIP和8引脚SO封装。

商品特性

  • 完全增强N沟道功率MOSFET
  • 8µA待机电流
  • 85µA导通电流
  • 短路保护
  • 宽电源电压范围:4.5V至18V
  • 可控制开关导通和关断时间
  • 无需外部电荷泵元件
  • 可替代P沟道高端MOSFET
  • 与标准逻辑系列兼容
  • 提供8引脚SO封装

应用领域

  • 笔记本电脑电源总线开关
  • SCSI终端电源开关
  • 手机电源管理
  • P沟道开关替换
  • 继电器和螺线管驱动器
  • 低频半H桥电机速度和转矩控制

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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