LTC1155CS8#TRPBF
双通道、高端微功率 MOSFET 驱动器
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- 品牌名称
- ADI(亚德诺)
- 商品型号
- LTC1155CS8#TRPBF
- 商品编号
- C674684
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.169克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 高边 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 灌电流(IOL) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~18V | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ |
商品概述
LTC1155双高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的N沟道FET。内部电荷泵将栅极电压提升至正电源轨之上,无需外部元件即可完全增强N沟道MOSFET。微功耗运行,待机电流为8µA,工作电流为85µA,几乎可在所有系统中实现最高效率。 片上集成过流检测功能,可在发生短路时自动关断。可在电流检测电路中串联一个延时电路,以防止在电容和白炽灯等高浪涌负载情况下误触发。 LTC1155的电源输入范围为4.5V至18V,可安全驱动几乎所有FET的栅极。LTC1155非常适合低压(电池供电)应用,特别是需要微功耗“休眠”运行的场合。 LTC1155提供8引脚PDIP和8引脚SO封装。
商品特性
- 完全增强N沟道功率MOSFET
- 8µA待机电流
- 85µA导通电流
- 短路保护
- 宽电源电压范围:4.5V至18V
- 可控制开关导通和关断时间
- 无需外部电荷泵元件
- 可替代P沟道高端MOSFET
- 与标准逻辑系列兼容
- 提供8引脚SO封装
应用领域
- 笔记本电脑电源总线开关
- SCSI终端电源开关
- 手机电源管理
- P沟道开关替换
- 继电器和螺线管驱动器
- 低频半H桥电机速度和转矩控制
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
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