71V3576YS133PFG

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品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: 71V3576YS133PFG
商品编号: C6100720
商品封装: TQFP-100(14x14)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动掉电功能；边界扫描(JTAG)功能

商品概述

IDT71V3576/78是高速静态随机存取存储器，组织结构为128K x 36或256K x 18。这些静态随机存取存储器包含写入、数据、地址和控制寄存器。其内部逻辑允许静态随机存取存储器基于一个可延迟至写入周期结束才做出的决定，来生成自定时写入。突发模式功能为系统设计提供了高水平的性能，因为该静态随机存取存储器能为呈现的单个地址提供四个周期的数据。一个内部突发地址计数器接收来自处理器的首个周期地址，启动访问序列。首个输出数据周期将在下一个时钟上升沿可用之前被流水线处理一个周期。如果选择了突发模式操作，后续三个周期的输出数据将在接下来的三个时钟上升沿提供给用户。这三个地址的顺序由内部突发计数器和LBO输入引脚定义。这些静态随机存取存储器采用高性能CMOS工艺，并封装在JEDEC标准14mm x 20mm 100引脚薄型塑料四方扁平封装中。

商品特性

128K x 36， 256K x 18内存配置
支持高系统速度：商业和工业级速度分别为150MHz（时钟访问时间3.8ns）和133MHz（时钟访问时间4.2ns）
LBO输入选择交错或线性突发模式
具有全局写入控制、字节写入使能和字节写入功能的自定时写入周期
3.3V内核电源供电
通过ZZ输入控制掉电模式
3.3V输入/输出接口
可选边界扫描JTAG接口
采用JEDEC标准100引脚塑料薄型四方扁平封装

数据手册PDF

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