LT4275BIDD#PBF

LT4275 是一系列引脚兼容的 IEEE 802.3 和 LTPoE++ 受电设备 (PD) 控制器。LT4275A 采用专有的 LTPoE++ 分类方案，在 PD 的 RJ45 连接器处提供 38.7W、52.7W、70W 或 90W 的功率。LT4275A 完全兼容 IEEE 802.3。LT4275B 是符合 IEEE 802.3at 标准的 Type 2 (PoE+) PD，可提供高达 25.5W 的功率。LT4275C 是符合 IEEE 802.3af 标准的 Type 1 (PoE) PD，可提供高达 13W 的功率。

LT4275 内部的电荷泵提供了 N 沟道 MOSFET 解决方案，消除了更大且成本更高的 P 沟道 MOSFET。低 RDS(ON) MOSFET 还可以最大化功率传输和效率，减少功率损耗和热量散发，并简化热设计。启动浪涌电流可以通过外部电容器调节。LT4275 还包括电源良好输出、板载签名电阻、欠压锁定和热保护。LT4275A/LT4275B 驱动单个光电耦合器以指示所连接的 PSE 的功率水平。提供引脚选择支持非标准低压操作。通过 AUX 引脚支持辅助电源覆盖。

通过外部元件更改，LT4275A 可以配置为支持所有可能的 LTPoE++、802.3at 和 802.3af 功率水平。

• 支持 IEEE 802.3af/at 和 LTPoE++ 的受电设备 (PD) 控制器
• LTPoE++ 支持高达 90W 的功率水平
• LT4275A 支持以下所有标准：
  • LTPoE++ 38.7W, 52.7W, 70W 和 90W
  • 符合 IEEE 802.3at 25.5W 标准
  • 符合 IEEE 802.3af 最高 13W 标准
• LT4275B 符合 IEEE 802.3at/af 标准
• LT4275C 符合 IEEE 802.3af 标准
• 绝对最大输入电压为 100V
• 宽结温范围（-40°C 至 125°C）
• 过热保护
• 集成签名电阻
• 外部热插拔 N 沟道 MOSFET，实现最低功耗和最高系统效率
• 可编程辅电源支持低至 9V
• 可选支持非标准低压 PoE
• 提供 10 引脚 MSOP 和 3mm x 3mm DFN 封装

• 高功率无线数据系统
• 户外安全摄像头设备
• 商业和公共信息显示屏
• 高温工业应用