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18N65F

1个N沟道 耐压:650V 电流:18A

描述
1个N沟道 耐压:650V 电流:18A适用于电源开关和信号控制
商品型号
18N65F
商品编号
C6068473
商品封装
ITO-220AB​
包装方式
管装
商品毛重
2.9克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))410mΩ@10V,9A
耗散功率(Pd)260W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)128nC@10V
输入电容(Ciss)4.35nF@300V
反向传输电容(Crss)110pF@300V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • N沟道,常电平
  • 出色的栅极电荷x导通电阻RDS(on)乘积(品质因数FOM)
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 高电流承载能力
  • 175°C工作温度
  • 无铅引脚镀层;符合RoHS标准
  • 按照JEDEC标准针对目标应用进行了认证
  • 按照IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册PDF