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100N03

1个N沟道 耐压:30V 电流:90A

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描述
采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计,实现低导通电阻RDS(ON)
商品型号
100N03
商品编号
C6068474
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.399克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))6.2mΩ@5V
耗散功率(Pd)105W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)41nC@10V
输入电容(Ciss)2nF
反向传输电容(Crss)221pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 低栅极电荷
  • 经过100% UIS测试和100% DVDS测试
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求

应用领域

  • 负载开关
  • PWM应用
  • 电源管理

数据手册PDF