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100N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
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- 描述
- 采用分裂栅沟槽MOSFET技术。具有出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)
- 品牌名称
- GOODWORK(固得沃克)
- 商品型号
- 100N03
- 商品编号
- C6068474
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.399克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 105W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 221pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
~~- 国际标准封装-具备非箝位电感开关 (UIS) 额定值-封装电感低-易于驱动和保护
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