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IMW120R040M1HXKSA1
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- 描述
- 特性：VDSS = 1200 V at TVj = 25℃。 IDDC = 55 A at Tc = 25℃。 RDS(on) = 39 mΩ at VGS = 18 V, TVj = 25℃。 非常低的开关损耗。 短路耐受时间 3 μs。 基准栅极阈值电压，VGDS(th) = 4.2 V。应用：工业驱动器。 工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMW120R040M1HXKSA1
- 商品编号
- C6061982
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.55克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 75pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 54.4mΩ |
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