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IMZA120R007M1HXKSA1
碳化硅MOSFET，具备XT互连技术，低开关损耗，抗寄生导通，体二极管耐用，热性能好
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZA120R007M1HXKSA1
- 商品编号
- C6061986
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 225A | |
| 耗散功率(Pd) | 750W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 289nC | |
| 输入电容(Ciss) | 9.17nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 61pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@18V |
商品概述
1 - 漏极 2 - 源极 3 - 开尔文检测触点 4 - 栅极 注意：源极和检测引脚不可互换，互换可能导致故障（仅适用于4引脚、TO263 - 7L封装）
商品特性
- 在Tvj = 25°C时，V_DSS = 1200 V
- 在Tc = 25°C时，IDDC = 225 A
- 在V_GS = 18 V、Tvj = 25°C时，R_DS(on) = 7 mΩ
- 极低的开关损耗
- 基准栅极阈值电压，V_GS(th) = 4.2 V
- 抗寄生导通能力强，可施加0 V或关断栅极电压
- 用于硬换相的坚固体二极管
- 采用.XT互连技术，具备同类最佳的热性能
应用领域
- 通用驱动器(GPD)
- 电动汽车充电
- 在线式UPS/工业UPS
- 组串式逆变器
- 太阳能功率优化器