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SVF6N60D

1个N沟道耐压:600V 电流:6A

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描述: N沟道,600V,6A,1.5Ω@10V
品牌名称: SILAN(士兰微)
商品型号: SVF6N60D
商品编号: C68778
商品封装: TO-252-2(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.468克(g)

商品参数

商品概述

SVF6N60F/D/FQ是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用士兰微专有的F-Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器。

商品特性

6A、600V，RDS（导通（典型值）） = 1.35 Ω @ VGS = 10 V
低栅极电荷
低Crss
快速开关
改善的dv/dt能力

应用领域

AC-DC电源-DC-DC转换器-H桥PWM电机驱动器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	6A
	导通电阻(RDS(on))	1.35Ω@10V
	耗散功率(Pd)	125W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	13.32nC@10V
	输入电容(Ciss)	690.7pF
	反向传输电容(Crss)	2.7pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	83.6pF