- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G3R12MT12K
G3R12MT12K
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- 商品型号
- G3R12MT12K
- 商品编号
- C6048360
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 567W |
商品概述
碳化硅N沟道增强型MOSFET VDS = 1200V，RDS(ON)(典型值) = 12 mΩ，ID(Tc = 100℃) = 110A
商品特性
- G3R（第三代）技术
- Rps(ON)的温度系数低
- 更低的QG和更小的RG(INT)
- 低器件电容（Coss、Crss）
- LoRing电磁优化设计
- 卓越的性价比指数
- 具有低VF和低QRR的坚固体二极管，经过100%雪崩（UIL）测试
应用领域
- 电动汽车牵引逆变器
- 工业电机驱动器
- 太阳能逆变器
- 车载外充电器
- 固态断路器
- 开关电源
- 脉冲功率